半導體關鍵設備，中國公司成功“突破”，助力先進工藝開發！

生產一顆成品芯片需要歷經漫長的過程，每一顆芯片誕生，可以說都是人類科技發展的結晶，因為要將這顆芯片生產出來，所涉及的環節、設備不是三兩句話能夠說清的。

簡單來說，一顆芯片需要歷經設計、制造、封裝測試等多重環節，每一項環節都不能省去，而在這些大環節中，又包含著眾多小環節。

就拿芯片制造過程來說，其中的難點可以概括為兩類，一類是原材料的生產能力，還有一類是先進制造工藝設備。

在原材料環節，中國的芯片就卡在了源頭上，生產芯片的原材料是多晶硅，我們雖然可以從沙子中獲取到硅，但其純度無法做到99.99999%，而原材料目前基本被日本、德國等國家的企業所壟斷。

再就是光刻膠，過去光刻膠同樣長期被日本企業壟斷，作為高值耗材的產品，中國每年都要從海外大量進口光刻膠，上海新陽、南大光電等企業紛紛取得突破，已經掌握了高端光刻膠的生產工藝。

在設備環節上，平常提到最多的就是光刻機，因為光刻機是最復雜及最核心的工藝設備，此前全球能生產高端光刻機的廠家有三家，分別是荷蘭ASML、日本尼康和佳能。

可昂貴的研發成本讓尼康和佳能難以承擔，所以高端光刻機生產商就只有ASML一家，其占據全球光刻機市場出貨量的90%，中國卻受限于《瓦森納協定》，幾乎無法購買到先進的EUV光刻機。

除了光刻機以外，生產芯片還需要用到蝕刻機，它的作用是將光刻機光刻好的芯片電路圖進行逐一雕刻，并且每一環節都不能出錯，在指甲蓋大小的芯片進行這番處理，雕刻難度是很高的。

不過中國在這一方面卻取得了出色的成績，國產半導體設備廠商中微公司就成功實現了突破。

近日，中微董事長尹志堯在年度業績會上透露，公司正在開發新一代的刻蝕設備，該設備可用于5nm以下邏輯工藝、1Xnm的DRAM芯片和128層以上的3D NAND芯片等產品。

同時他還提到，中微公司的刻蝕設備在國內主要客戶端市場的占有率正在不斷提升，開發的12英寸高端刻蝕設備，已經運營在國際知名客戶65nm到5nm等先進的芯片生產線上。

而且公司應先進集成電路廠商的需求，開發出了小于5nm刻蝕設備用于若干關鍵步驟的加工。

事實上中微公司提到的國際知名客戶就是臺積電，所以小于5nm的蝕刻設備接下來也會被臺積電采購。

如今隨著中微公司的崛起，很多公司都已無法離開中微公司生產的設備，其中也包括一些美方的公司，所以美方只能和中微公司達成協議，允許其在美市場上交易。

從零做到全球領先，中微公司其實就是中國半導體產業崛起的一個縮影。

盡管我們現在還需要在很多地方加強努力，但筆者始終堅信，只要中國科學家齊心協力，就一定能夠取得巨大突破！